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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 642 - 647 (6page)
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논문은 산화물 반도체에 대한 전기광학적 응용으로 위한 연구를 위하여 원자층증착법을 이용하여 N 도핑된 ZnO 증착을 수행하였다. ZnO를 기반으로 하는 전기광소자를 제작하기 위해서는 필요한 p형 ZnO는 깊은 상태의 억셉터 준위 그리고 자기보상 현상 때문에 형성하기 매우 어렵다. 이를 극복하기 위하여 N2, NH3, NO2와 같은 다양한 도핑원과 증착기술이 활용되고 있다. 홀측정을 통하여 증착온도가 낮고 도핑물질의 농도가 낮을 때 p형 ZnO의 특성을 관찰할 수 있었다. 또한 광발광 분광법을 통해서 N 도판트가 어떠한 결함일 때 p형 특성을 가지는지 관찰할 수 있었다. 본 논문에서는 N 도핑된 ZnO박막을 NH3OH 도핑원을 이용하여 원자층증착법으로 증착하였으며 동시에 전기적, 광학적 분석을 진행하였다.
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