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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 248 - 251 (4page)
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We have investigated the effect of the quality of 1.3 um distributed feed back laser diode (DFB-LD) on the design of anti-reflection (AR) coatings. Optimal condition of AR coating to prevent internal feedback from both facets and reduce the reflection-induced intensity noise of laser diode was simulated with Macleod Simulator. Coating materials used in this work were Ti3O5 and SiO₂, of which design thickness were 105 nm and 165 nm, respectively. AR coating films were deposited by Ion-Assisted Deposition system. The electrical and optical properties of 1.3 um laser diode were characterized by Bar tester and Chip tester. Threshold current and slop-efficiency of DFB-LD were 27.56 mA 0.302 W/A. Far field pattern and wavelength of DFB-LD were 22.3°(Horizontal)×24.4° (Vertical), 1313.8 nm, respectively.
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C. M. Herzinger / 1993 / The semiconductor waveguide facet reflectivity problem / IEEE J. Quantum Electron 29 (8) : 2273 ~
H. A. Macleod / 1986 / Thin-Film Opticlal Filters, 3nd ed
J. M. Bebett / 1989 / Comparison of the properties of titanium dioxide films prepared by various techniques / Appl. 28 (16) : 3303 ~
P. G. Pai / 1986 / Infrared spectroscopic study of SiOx films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition / J. Vac. Sci. Technl. 4 (3) : 689 ~
P. R. willey / 1996 / Practical Design and Production of Optical Thin films, 2nd ed
H. A. Macleod / 1986 / Thin-Film Opticlal Filters, 3nd ed
J. M. Bebett / 1989 / Comparison of the properties of titanium dioxide films prepared by various techniques / Appl. 28 (16) : 3303 ~
P. G. Pai / 1986 / Infrared spectroscopic study of SiOx films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition / J. Vac. Sci. Technl. 4 (3) : 689 ~
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