Top-GaP 상부에 나노 크기의 Roughness 처리에 의한AlGaInP 고휘도 LED의 휘도 향상

소순진; 하헌성; 박춘배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 소순진 하헌성 박춘배

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제1호

발행연도: 2008.1

수록면: 68 - 72 (5page)

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AlGaInP high-brightness LEDs(HB-LEDs) have gained importance a variety of application operating in the red, orange, yellow and yellow-green wavelength. The light generated from inside LED chips should be emitted to the air through the surfaces of the chips. However, because of the differences between the semiconductor and air or epoxy’s refractive index, some of the light was blocked so that caused lowering external quantum efficiency. In this study, nano-scale roughness on the top-GaP layer of AlGaInP epitaxial wafer was fabricated to improve the brightness of AlGaInP LEDs. Nano-scale roughness was made by ICP dry etcher. Our AlGaInP LEDs with nano-scale roughness has higher brightness (about 28.5 %) than standard AlGaInP LEDs.

#AlGaInP #LED #Light-emitting diode) #Surface roughness #ICP #Inductively coupled plasma) #Dry etching

참고문헌 (9)

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C.P. Kuo / 1990 / High performance AlGaInP visible light- emitting diodes / App. Phys. Lett 57 : 2937 ~

D.H. Kim / 2005 / Enhanced light extraction from GaN-based light-emitting diodes with holographically generated two-dimensional photonic crystal patterns / Appl. Phys. Lett :

G.B. Stringfellow / 1997 / High brightness light emitting diodes- semiconductor and semimetals / Academic 48

J. Kovac / 2003 / Advanced light emitting diodes structures for optoelectronic applications / Thin Solid Films 433 : 22 ~

P.C. Liu / 2005 / Wafer bonding for high-brightness light-emitting diodes via indium tin oxide intermediate layers / Thin Solid Films 478 : 280 ~

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