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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제5호
발행연도
2009.1
수록면
415 - 418 (4page)

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Zn₂SiO₄:Mn green phosphors doped with Mg for PDP were synthesized by solid state reaction method. Zn₂SiO₄:Mn,Mg phosphors with increasing Mg concentration were changed from Rhombohedral to Orthorhombic structure. Photoluminescence intensity of Zn₂SiO₄:Mn phosphors doped with Mg 0.5 mol was definitely higher than that of Mg non-doped sample. The enhanced luminescence with doping Mg in the Zn₂SiO₄:Mn phosphors was interpreted by the increase of energy transfer from host to Mn ions with substitution Mg for Zn in the Zn₂SiO₄:Mn host.

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