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논문 기본 정보

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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제5호
발행연도
2012.1
수록면
340 - 344 (5page)

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Protected Circuit Moduledms 과충전, 과방전으로 부터 배터리를 보호해주는 모듈이다. 이 모듈에 필연적으로 들어가게 되는 소자가 파워 반도체인데, 상대적으로 낮은 전압에서 전류를 흘리는데 유리한 TDMOS가 많이 연구되고 있다. 본 논문에서는 파라미터별 TDMOS의 전기적 특성을 시뮬레이션하여 PCM회로에 사용되는 전력 소자의 최적 구조를 이루었다.
#Protected circuit module #TDMOS #Breakdown voltage #On resistance

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참고문헌 (5)

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B. J. Baliga / 2008 / Fundamentals of Power Semiconductor Devices / Springer : 283 ~ google schola J. I. Lee / 2008 / / J. KIEEME 21 : 74 ~ google schola 강이구 / 2010 / 2500 V급 NPT-IGBT소자의 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23 (4) : 273 ~ 279 google schola 오주현 / 2010 / GaN Power SIT의 설계변수에 따른 전기적 특성변화에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23 (9) : 671 ~ 675 google schola 이종석 / 2008 / PIN 다이오드 - PNP 트랜지스터 결합모델에 의한 1,700 V급 NPT 트랜치 IGBT의 해석에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 21 (10) : 889 ~ 895 google schola

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