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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제5호
발행연도
2012.1
수록면
377 - 380 (4page)

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Nd:YVO4 레이저(λ=1,064 nm)를 이용하여 ZnO 박막 상에 스퍼터링된 ITO 박막을 직접 식각, 패터닝한 결과를 ITO 단일막에서의 레이저 패터닝의 경우와 패턴 중첩 비율의 관점에서 비교 분석하였다. 전자 현미경 사진 및 계산된 결과로부터, 중첩 비율은 레이저 빔의 주파수 보다는 스캔 속도에 좌우되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 ITO 단일막인 경우보다는 ZnO 하부막 위 ITO의 직접 패터닝 시 수평 방향으로의 레이저 빔 에너지 전달로 인하여 보다 빔 size가 커짐으로써 1,000 mm/s, 2,000 mm/s의 고속의 스캔 속도에서 보다 큰 중첩 비율을 보여줌을 알 수 있었다.

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