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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 345 - 348 (4page)
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본 연구에서는 ICP 플라즈마 식각 장비의 SF6와 O2 혼합한 가스를 이용하여 실리콘 기판의 표면을 텍스쳐링하였다. SF6의 유량 20 sccm에서 O2의 유량을 공정 변수로 하였고, 텍스쳐링된 웨이퍼의 표면 형상과 반사율 특성을 조사하였다. O2 유량이 8 sccm 조건으로 250 nm ∼ 1,000 nm 파장 영역에서 가장 낮은 반사율을 얻을 수 있었으며, 텍스쳐링의 높이는 0.8 ~ 1.0 μm, 폭은 5 ~ 10 nm이고, 표면의 기울기가 급한 바늘 형태로 나타내었다.
또한 표면 텍스쳐링 공정을 이용하여 실리콘 솔라셀의 전기적 특성 및 효율 추정을 2차원 시뮬레이션을 통하여 비교 분석을 수행하였다. 표면이 평평한 구조의 Pmax는 2.3×10-8 W이고, 표면 미세구조를 가진 구조의 Pmax는 2.7×10-8 W를 얻을 수 있었다. 이는 평평한 구조를 기준으로 텍스쳐링 구조에서 소자효율차이가 20% 향상됨을 확인하였다.
본 연구를 통하여 실리콘 웨이퍼의 ICP 공정을 이용한 표면 텍스쳐링으로 태양전지의 에너지 변환효율을 향상시킬 수 있다고 판단된다.
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