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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 311 - 316 (6page)
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Zr0.7Sn0.3TiO4 (ZST) thin films were fabricated by metal-organic decomposition, and their dielectric properties were investigated in order to evaluate their potential use in passive capacitors for rf and analog/mixed signal integrated circuits. The ZST thin film annealed at the temperature of 800℃ showed a dielectric constant of 27.3 and a dielectric loss of 0.011. The capacitor using the ZST film had quadratic and linear voltage coefficient of capacitance (VCC) of -65 ppm/V2 and -35 ppm/V at 100 kHz, respectively. It also exhibited a good temperature coefficient of capacitance (TCC) value of -32 ppm/℃ at 100 kHz.
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B. J. Kim / 2006 / BaSm2Ti4O12 thin film for high-performance metal-insulator-metal capacitors / IEEE Electron Device Lett 27 (9) : 740 ~
B.-Y. Jang / 2005 / BaTi4O9 thin films for high-performance metal- insulator-metal capacitors / Appl. Phys. Lett 87 : 112902 ~
E. S. Ramakrishnan / 1998 / Dielectric properties of radio frequency magnetron sputter deposited zirconium titanate-based thin films / J. Electrochem. Soc 145 (1) : 358 ~
H.-J. Sun / 2004 / BaTi4O9 thin film prepared by rf magnetron sputtering for microwave applications / Jpn. J. Appl. Phys. 43 (5a) : L628 ~
H.Tamura / 1994 / Microwave loss quality of (Zr0.8Sn0.2)TiO4 / Am. Ceram. Soc. Bull 73 (10) : 92 ~
B.-Y. Jang / 2005 / BaTi4O9 thin films for high-performance metal- insulator-metal capacitors / Appl. Phys. Lett 87 : 112902 ~
E. S. Ramakrishnan / 1998 / Dielectric properties of radio frequency magnetron sputter deposited zirconium titanate-based thin films / J. Electrochem. Soc 145 (1) : 358 ~
H.-J. Sun / 2004 / BaTi4O9 thin film prepared by rf magnetron sputtering for microwave applications / Jpn. J. Appl. Phys. 43 (5a) : L628 ~
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