지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 458 - 462 (5page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
다양한 Zr 함량을 지닌 ZrInZnO (ZIZO) 박막 트랜지스터를 액상공정으로 제작하였다. ZIZO 박막 트랜지스터는 Zr 함량이 20 at. %/Zn에서 최적화되었고, 이 소자의 포화 전계 이동도는 0.77 ㎠/Vs, 문턱 전압(Vth)은 2.1 V, on/off 비는 4.95×10^6, 스윙(S.S)은 0.73 V/decade를 보였다. 최적화된 ZIZO 박막 트랜지스터를 이용하여, 열처리 온도에 따른 positive와 negative 게이트 바이어스 특성 변화를 조사하였다. 1000초의 게이트 바이어스 인가 후, Vth 이동은 두드러진 반면, S.S 변화는 거의 없었다. 이는 electron 또는 hole이 일시적으로 게이트 절연막, 반도체, 또는 둘 사이의 계면에 트랩되는 현상으로 해석된다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0