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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제5호
발행연도
2010.1
수록면
368 - 373 (6page)

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In this study, we have investigated the effects of Cr dopant on the bulk trap levels and grain boundary characteristics of Bi2O3-based ZnO (ZB) varistor using admittance spectroscopy and dielectric functions (such as Z*, Y*, M*, ε*, and tanδ). Admittance spectra show more than two bulk traps of Zni and Vo probably in different ionization states in ZnO-Bi2O3-Cr2O3 (ZBCr) system. Three kinds of temperature-dependant activation energies (Ebt's) were calculated as 0.11∼0.14 eV of attractive coulombic center, 0.16∼0.17 eV of , and 0.33 eV of as dominant bulk defects. The grain boundaries of ZBCr could be electrochemically divided into two types as a sensitive to ambient oxygen i.e. electrically active one and an oxygen-insensitive i.e. electrically inactive one. The grain boundaries were electrically single type under 460 K (equivalent circuit as parallel Rgb1Cgb1) but separated as double one (Rgb1Cgb1-Rgb2Cgb2) over 480 K. It is revealed that the dielectric functions are very useful tool to separate the overlapped bulk defect levels and to characterize the electrical properties of grain boundaries.
#ZnO varistor #Bi2O3 #Cr2O3 #Dielectric functions #a.c. characteristics

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E. Olsson / 1989 / / J. Appl. Phys. 66 : 3666 ~ google schola F. Greuter / 1990 / / Semicond. Sci. Technol. 5 : 111 ~ google schola J. Han / 2002 / / J. Euro. Ceram. Soc. 22 : 49 ~ google schola L. M. Levinson / 1986 / / Am. Ceram. Soc. Bull. 65 : 639 ~ google schola M. Andres-Verges / 1997 / / J. Electroceram 1 : 125 ~ google schola

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