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- 2003.1
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The microwave dielectric properties and the microstructures on Bi0.97Nb0.03O4 doped with V2O5 were systematically investigated. Bi0.97Tm0.03NbO4 ceramics sintered at 920-960℃ were mainly consisted of orthorhombic and triclinic phases after addition of V2O5. The apparent density increased slightly with increasing the V2O5 addition. The dielectric constants(εr) also increased with V2O5 addition(30-45). The Q×f0 values measured on Bi0.97Tm0.03NbO4 ceramics doped with V2O5 were between 2,000 and 12,000[GHz] when the sintering temperatures were in the range of 920-960[℃]. It was confirmed that the temperature coefficient of the resonant frequency(τf) can be adjusted from a positive value of +10[ppm/℃] to a negative value of -15ppm/℃ by increasing the amount of V2O5. Based on our experimental results, the Bi0.97Tm0.03NbO4(added V2O5) ceramics can be applied to multilayer microwave devices at low sintering temperatures.
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