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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제4호
발행연도
2003.1
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This paper reports the optimum structure of the vacuum packaged Porous poly-silicon Nano-Structured (PNS) emitter. The PNS layer was obtained by electrochemical etching process into polycrystalline silicon layer in a process controlled to anodizing condition. Current-voltage studies were carried out to optimize process condition of electron emission properties as a function of anodizing condition and top electrode thickness. Also, we measured in advance the electron emission properties as a function of substrate temperature because the vacuum packaged process was performed under the condition of high temperature ambient (430℃). Auger Electron Spectrometer (AES) studies shows that Au as a top-electrode was diffused to PNS layer during temperature experiments. Thus, we optimized the thickness of top-electrode in order to make the vacuum package PNS emitter. As a result, the vacuum packaged PNS emitter was successfully emitted by optimizing process.
#Porous poly-silicon Nano-Structured #PNS) emitter #Electrochemical etching process #Vacuum packaged process

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