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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 1,283 - 1,288 (6page)
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Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS) capacitors using rapid thermal annealed LiNbO3/ AlN/Si(100) structure were fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations. The capacitors on highly doped Si wafer showed hysteresis behavior like a butterfly shape due to the ferroelectric nature of the LiNbO3 films. The typical dielectric constant value of LiNbO3 film in the MFIS device was about 27. The gate leakage current density of the MFIS capacitor was 10-9 A/cm2 order at the electric field of 500 kV/cm. The typical measured remnant polarization(2Pr) and coercive filed(EC) values were about 1.2 μC/cm2 and 120 kV/cm, respectively. The ferroelectric capacitors showed no polarization degradation up to 1011 switching cycles when subjected to symmetric bipolar voltage pulses of 1 MHz. The switching charges degraded only by 10 % of their initial values after 4 days at room temperature.
목차
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/ 1955. / Space Charge Layer Near the Surface of a Ferroelectric 98 (. 2) : 549 ~
/ 1956. / Surface Space-charge Layers in Barium Titanate 102 (. 3) : 705 ~
/ 1970. / Cleaning Solutions Based on Hydrogen Peroxide for Use in Silicon Semiconductor Technology 31 : 187 ~
/ 1991. / Ferroelectric Switching of a Field-effect Transistor with a Lithium Niobate Gate Insulator 59 (. 27) : 3654 ~
/ 1992. / Physics of the Ferroelectric Nonvolatile Memory Field Effect Transistor 72 (. 12) : 5999 ~
/ 1956. / Surface Space-charge Layers in Barium Titanate 102 (. 3) : 705 ~
/ 1970. / Cleaning Solutions Based on Hydrogen Peroxide for Use in Silicon Semiconductor Technology 31 : 187 ~
/ 1991. / Ferroelectric Switching of a Field-effect Transistor with a Lithium Niobate Gate Insulator 59 (. 27) : 3654 ~
/ 1992. / Physics of the Ferroelectric Nonvolatile Memory Field Effect Transistor 72 (. 12) : 5999 ~
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