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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제7호
발행연도
2004.1
수록면
747 - 753 (7page)

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In this paper, nanocrystalline indium tin oxide (ITO) particles were fabricated by using synthesis without harmful elements. The synthetic method is to eliminate the chloridic and nitridic elements which are included in the current wet type synthetic method. Therefore, it is possible to lower synthetic temperature below 600 ℃ to eliminate the harmful elements. Accordingly, fine particle can be achieved by applying the process. Particle size, surface area, crystal structure, and composition ratio of the synthesized nanocrystalline ITO particle by using the method were analyzed with high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), BET surface area analyzer, X-ray diffraction (XRD), and energy dispersion spectroscopy (EDS). As a result, its particle size is less than 10 ㎚, and the surface area exceeds 100 ㎡/g. The XRD analysis indicates that the cystal structure of the powder is cubic one with orientation of <222>, <400>, <440>. Also, the analysis of the composition demonstrates that the around 8 wt% tin is uniformly included in In2O3 lattice of the nanoparticle.
#ITO #Nanocrystalline #Particles #Low temperature #Synthesis #Fine

목차

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참고문헌 (9)

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/ 1992. / Studies On Characteristics of ITO Target Materials Society of Vacuum Coaters Conference Baltimore google schola / 1998. / Structural studies of tin-doped indium oxide (ITO) and In4Sn3O12 135 : 140 ~ google schola / 1999. / Dependence of the sheet resistance of indium-tin-oxide thin films on grain size and grain orientation determined from X-ray diffraction techniques 345 : 273 ~ google schola / 2001. / Low Temperature Catalyst Doping for Nanophase Gas Sensor 2001 : 47 ~ google schola / 2002. / Effect of Low Temperature Catalyst Doping on Sensing Properties of Nano Gas Sensor 2002 : 187 ~ google schola

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