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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 112 - 117 (6page)
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Y2-xGdxO3:Eu3+ (x=0.0, 0.3, 0.6, 1.0, 1.4) luminescent thin films have been grown on Si (100) substrates using pulsed laser deposition. The films grown under different deposition conditions have been characterized using microstructural and luminescent measurements. The crystallinity, the surface morphology and photoluminescence (PL) of the films are highly dependent on the amount of Gd. The photoluminescence (PL) brightness data obtained from Y2-xGdxO3:Eu3+ films grown under optimized conditions have indicated that Si (100) is one of promised substrates for the growth of high quality Y2-xGdxO3:Eu3+ thin film red phosphor. In particular, the incorporation of Gd into Y2O3 lattice could induce a remarkable increase of PL. The highest emission intensity was observed with Y1.35Gd0.60O3:Eu3+, whose brightness was increased by a factor of 1.95 in comparison with that of Y2O3:Eu3+ films.
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/ 1993. / The Chemistry of Artificaial Lighting Devices: Lamps, Phosphors, and Cathode Tay Tubes : 85 ~
/ 1994. / Luminescent Materials : 53 ~
/ 1995. / "Large-area pulsed laser deposition: Techniques and applications 13 (3) : 1175 ~
/ 1996. / Degradation of zinc sulfide phosphors under electron bombardment 14 (3) : 1697 ~
/ 1997. / Erbium implanted thin film photonic materials 82 : 1 ~
/ 1994. / Luminescent Materials : 53 ~
/ 1995. / "Large-area pulsed laser deposition: Techniques and applications 13 (3) : 1175 ~
/ 1996. / Degradation of zinc sulfide phosphors under electron bombardment 14 (3) : 1697 ~
/ 1997. / Erbium implanted thin film photonic materials 82 : 1 ~
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