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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제10호
발행연도
2006.1
수록면
953 - 959 (7page)

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Langmuir-Blodgett(LB)layers of Arachidic acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film. The structure of manufactured device is Au/arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are 9~21. Also, we then examined of the Metal-Insulator-Metal(MIM) device by means of I-V. The I-V characteristics of the device are measured from -3 to +3 V. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.
#Langmuir-Blodgett films #Arachidic acid #Stearic acid #MIM device #I-V Characteristics

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/ 1966. / Langmuir Blodgett Films an Introduction : 42 ~ google schola / 1980. / AC and DC conduction in lightly substituted anthracen Langmuir films 68 : 223 ~ google schola / 1988. / Electric properties of Langmuir Blodgett films sandwitched between Pb-Bi superconducting electrodes 27 : 1825 ~ google schola / 1989. / Molecular film technology for bio sensor : 176 ~ google schola / 1989. / Present status and future pro- spect of LB film research : 2 ~ google schola

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