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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 106 - 112 (7page)
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Advanced back-end processing requires the integration of low-k dielectrics and Cu. However, in the presence of an electric field and a temperature, positive Cu ions may drift rapidly through dielectric and causing reliability problems. Therefore, in this paper, Cu+ drift diffusion in two low-k materials and silicon oxide is evaluated. The drift diffusion is investigated by measuring shifts in the flat band voltage of capacitance-voltage measurements on Cu gate capacitors after bias thermal stressing. The Cu+ drift rate in SiOxCy (2.85±0.03) and Polyimide(2.7≤k≤3.0) is considerably lower than in thermal oxide.
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A. L. S. Loke / 1996 / Kinetics of copper drift in PECVD dielectrics / IEEE Electron Device Lett. 17 (22) : 549 ~
A. L. S. Loke / 1999 / Electrical leakage at low-k polyimide/TEOS interface / IEEE Elecctron Device Lett 19 (6) : 177 ~
Jeong-HoonAhn / 2002 / Integration of a Low-k α-SiOC:H Dielectric with Cu Interconnects / Journal of the Korean Physical Society 41 (4) : 422 ~ 426
M. Vogt / 1995 / Barrier behaviour of plasma deposited silicon oxide and nitride against Cu diffusion / Appl. Surf. Sci. 91 : 303 ~
Sam-Dong Kim / 2003 / Low dielectric constant spin-on-glass passivation for high speed complementary metal oxide silicon devices / Journal of the Korean Physical Society 43 (
A. L. S. Loke / 1999 / Electrical leakage at low-k polyimide/TEOS interface / IEEE Elecctron Device Lett 19 (6) : 177 ~
Jeong-HoonAhn / 2002 / Integration of a Low-k α-SiOC:H Dielectric with Cu Interconnects / Journal of the Korean Physical Society 41 (4) : 422 ~ 426
M. Vogt / 1995 / Barrier behaviour of plasma deposited silicon oxide and nitride against Cu diffusion / Appl. Surf. Sci. 91 : 303 ~
Sam-Dong Kim / 2003 / Low dielectric constant spin-on-glass passivation for high speed complementary metal oxide silicon devices / Journal of the Korean Physical Society 43 (
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