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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제7호
발행연도
2002.1
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Using laser ablation technique carbon thin films were deposited on Si(100) substrate as a function of substrate temperature. In this study, the surface morphologic, structural and field emission properties of these carbon thin films were investigated using Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and a diode technique, respectively. With increasing of the substrate temperature, the surface morphologies were changed significantly. Moreover, the intensity of D-band and the full width at half maximum of these bands were dependent on substrate temperatures. As the substrate temperature was increased, the field emission properties were improved. As the result, we find that the field emission properties of the films were changed significantly with the substrate temperature and structural features of carbon thin films.
#carbon thin film #laser ablation technique #scanning electron microscopy #raman spectroscopy #field emission

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