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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제9호
발행연도
2004.1
수록면
942 - 946 (5page)

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The crystalline and dielectric properties on Al2O3 filled glass frit (CaO-Al2O3-SiO2-MgO-B2O3) with admixtures of TiO2 have been investigated. The dielectric constant value of 7.5~7.8, quality factor value of 700 were obtained for glass frit : Al2O3 (50 : 50 wt%) ceramics. Addition of TiO2 less than 5 wt% slightly increased the dielectric constant from 7.8 to 8.8 due to higher dielectric constant of TiO2. With increasing the amount of TiO2 up to 5 wt%, the temperature coefficient of dielectric properties was improved. When the TiO2 5 wt% were added, dielectric properties were dielectric constant 8.8, quality factor 840 and the temperature coefficient of dielectric 45 ppm/℃ at a sintering temperature 920 ℃.

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