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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 162 - 170 (9page)
이용수
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A 900MHz CMOS RF power amplifier with digitally controllable output power has been proposed and designed with 0.6 m standard CMOS technology. The designed power amplifier was composed of digitally controllable switch mode pre-amplifiers with an integrated 4nH spiral inductor load and class-C output stage. Especially, to compensate the low Q of integrated spiral inductor, cascode amplifier with a Q-enhancement circuit is used. It has been shown that the proposed power control technique allows the output power to change from almost 3dBm to 13.5dBm. And it has a maximum PAE(Power Added Efficiency) of almost 55% at 900MHz operating frequency and 3V power supply voltage.
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/ 1990 / Si IC-compatible inductors and LC passive filters 25 : 10281990 ~
/ 1994. / A 900MHz CMOS RF Power Amplifier with Programmable Output : 133 ~
/ 1995. / A 900 MHz RF Power Amplifier in 1 m CMOS for a Spread-Spectrum Communication Transceiver : 1 ~
/ 1997. / A 2.5V, 1W Monolithic CMOS RF Power Amplifier : 189 ~
/ 1997. / An E-Mode GaAs FET Power Amplifier MMIC for GSM Phones : 1315 ~
/ 1994. / A 900MHz CMOS RF Power Amplifier with Programmable Output : 133 ~
/ 1995. / A 900 MHz RF Power Amplifier in 1 m CMOS for a Spread-Spectrum Communication Transceiver : 1 ~
/ 1997. / A 2.5V, 1W Monolithic CMOS RF Power Amplifier : 189 ~
/ 1997. / An E-Mode GaAs FET Power Amplifier MMIC for GSM Phones : 1315 ~
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