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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제2호
발행연도
2004.1
수록면
121 - 126 (6page)

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In this paper, the effects of the ozone oxidation of the landing polycrystalline silicon on the cell contact resistance of the DRAM device were studied. For this study, the ozone oxidation of the landing polycrystalline silicon layer was performed under various conditions, which was followed by the normal DRAM processes. Then, the cell contact resistance and tWR(write recovery time) of the devices were measured and analyzed. The experimental results showed that the cell contact resistance was more significantly increased for higher temperature of oxidation, longer time of oxidation, and higher concentration of ozone in the oxidation furnace. In addition, the TEM cross-sectional micrographs clearly showed that the oxide layer at the interface between the landing polycrystalline silicon layer and the plug polycrystalline silicon layer was increased by the ozone oxidation. Furthermore, the rate of the device failure due to too large write recovery time was also found to be well correlated with the increase of the cell contact resistance.
#Ozone oxidation #Contact resistance #Refresh #Write recovery time #DRAM

목차

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참고문헌 (11)

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/ 1976. / A history perspective on the development of MOS transistor and related device 3 (7) : 655 ~ google schola / 1988. / Low temperature oxidation of silicon 24 : 856 ~ google schola / 1990. / ozone oxidation of silicon 26 : 205 ~ google schola / 1991. / UV assisted growth of 100 thick SiO2 at 550 27 : 909 ~ google schola / 1993. / Ozone oxidation of silicon 29 : 115 ~ google schola

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