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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제8호
발행연도
2006.1
수록면
775 - 779 (5page)

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In this study, sputtered Al2O3 thin films were evaluated as a passivation layer in the process of InGaN-based blue LEDs in order to improve the brightness of LED lamps. In terms of packaged LED lamps, lamps with Al2O3 passivation layer emanated higher brightness than those with SiO2 passivation layer, and LED lamps with 90 nm Al2O3 passivation layer were the brightest among four kinds of lamps. Although lamps with Al2O3 passivation had a slight increase in operating voltage, their brightness was improved about 13.6 % compare to the lamps made of conventional LEDs without the changes of emitting wavelength.
#InGaN #GaN #Al2O3 #LED #Sputtering system #Packaged lamp

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