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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제12호
발행연도
2005.1
수록면
1,080 - 1,086 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2005

Si1-xGex 층의 건식산화 동안 Ge 재 분포와 상호 확산의 영향
신창호 ,  이영훈 ,  송성해 전기전자재료학회논문지 2005.01 학술저널

1998

축적된 Ge층이 Si1-xGex / Si의 산화막 성장에 미치는 영향 ( The Effects of Piled up Ge-rich Layer on the Oxide Growth of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )
신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1998.07 학술대회자료
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1998.06 학술대회자료

1997

Si1-xGex/Si에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포
신창호 ,  김태형 ,  김재범 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1997.11 학술대회자료
Sil-xGex / Si 에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포 ( The Ge Redistribution During Dry Oxidation of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )
신창호 ,  김태형 ,  김재범 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1997.11 학술대회자료

초록· 키워드

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We have studied the Ge redistribution after dry oxidation and the oxide growth rate of Si1-xGex epitaxial layer. Oxidation were performed at 700, 800, 900, and 1,000 ℃. After the oxidation, the results of RBS (Rutherford Back Scattering) & AES(Auger Electron Spectroscopy) showed that Ge was completely rejected out of the oxide and pile up at SiO2/Si1-xGex interface. It is shown that the presence of Ge at the SiO2/Si1-xGex interface changes the dry oxidation rate. The dry oxidation rate was equal to that of pure Si regardless of Ge mole fraction at 700 and 800 ℃, while it was decreased at both 900 and 1,000 ℃ as the Ge mole fraction was increased. The dry oxidation rates were reduced for heavy Ge concentration, and large oxidation time. In the parabolic growth region of Si1-xGex oxidation, the parabolic rate constant are decreased due to the presence of Ge-rich layer. After the longer oxidation at the 1,000 ℃, AES showed that Ge peak distribution at the SiO2/Si1-xGex interface reduced by interdiffusion of silicon and germanium.
#Ge redistribution #Ge interdiffusion #SiGe oxidation

목차

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/ 1965. / General rela- tionship for thermal oxidation of silicon 36 (12) : 3770 ~ google schola / 1969. / Semi- conductor Silicon : 358 ~ google schola / 1972. / Oxidation of silicon-germanium alloys 17 : 288 ~ google schola / 1980. / The diffusion of silicon in germanium 24 (4) : 333 ~ google schola / 1985. / Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for Si1-xGex/Si strained layer heterostructure 47 : 322 ~ google schola

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