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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제8호
발행연도
2002.1
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2002

직류바이어스가 인가된 ICPHFCVD 법에 의한 탄소나노튜브의 저온 성장 특성 연구
김광식 ,  류호진 ,  장건익 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료
직류바이어스가 인가된 ICPHFCVD 법에 의한 다중벽 탄소나노튜브의 합성 및 전계방출 특성
김광식 ,  류호진 ,  장건익 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료
유도결합형 플라즈마 화학기상증착법에서 탄소나노튜브의 수직성장과 전계방출 특성 향상 연구
김광식 ,  류호진 ,  장건익 전기전자재료학회논문지 2002.01 학술저널

2001

유도결합형 화학기상증착법을 이용한 탄소 나노튜브의 합성과 전계 방출 특성 연구
김광식 ,  류호진 ,  장건익 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

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In this study, the vertically well-aligned CNTs were synthesized by DC bias-assisted inductively coupled plasma hot-filament chemical vapor deposition (ICPHFCVD) using radio-frequence plasma of high density and that CNTs were vertically grown on Ni(300Å)/Cr(200Å)-deposited glass substrates at 580℃. This system(ICPHFCVD) added to tungsten filament in order to get thermal decompound and DC bias in order to vertically grow to general Inductively Coupled Plasma CVD. The grown CNTs by ICPHFCVD were developed to higher graphitization and fewer field emission properties than those by general ICPCVD. In this system, DC bias was effect of vertical alignment to growing CNTs. The measured turn-on fields of field emission property by general ICPCVD and DC bias-assisted ICPHFCVD were 5 V/㎛ and 3 V/㎛, respectively.
#Field emission #F-E) #Carbon nanotubes #CNTs) #Vertical growth #Inductively coupled plasma hot-filament chemical vapor deposition #ICPHFCVD)

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