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저널정보
사단법인 한국위성정보통신학회 한국위성정보통신학회논문지 한국위성정보통신학회논문지 제8권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
45 - 53 (9page)

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기존의 NEDSCR 소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩전압과 낮은 온-저항을 가져 정상적인 동작 동안 래치업을 초래하므로 ESD 보호소자로 사용하는데 어려움이 있었다. 본 연구에서는 NEDSCR 소자의 시뮬레이션 및 TLP 테스트를 통해 이러한 단점들을 극복할 수있는 새로운 방법을 제안하였다. 매우 우수한 ESD 보호 성능과 높은 래치업 면역 특성을 구현하기 위해 N+ 소오스 확산영역을둘러싸는 P형의 CPS 이온주입공정을 추가함으로써 NEDSCR 소자의 스냅백 홀딩전압과 온 저항을 증가시켜 정전기 보호 성능을개선시킬 수 있는 것으로 입증되었다.
#ESD #Electrostatic discharge) #NEDSCR #N-type Extended Drain Silicon Controlled Rectifier) #CPS #Counter Pocket Source) #TLP #Transmission Line Pulse) #Snapback Holding #On-Resistance #Latch-up #Triggering

목차

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A. Chatterjee. / 1991 / A low-voltage triggering SCR for on-chip ESD protection at output and input pads / IEEE Electron Device Lett 12 : 21 ~ 22 google schola B. C. Jeon. / 2002 / ESD characterization of grounded-gate NMOS with 0. 35 um/18V technology employing transmission line pulser(TLP)test / in Proc. EOS/ESD Symp : 365 ~ 375 google schola C. H. Lai. / 2004 / A noble gate-coupled SCR ESD protection structure with high Latch-up immunity for high-speed I/O pads / IEEE Electron Device Lett 25 : 328 ~ 330 google schola DESSISTM Device Simulator / / User's Manual / ISE Inc. google schola J. E. Barth, K. / 2001 / Henry and J / Packaging Manufact 24 : 99 ~ google schola

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