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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제21권 제3호
발행연도
2014.1
수록면
43 - 50 (8page)

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전자 제품의 경박 단소화 및 고집적화가 이루어 지면서 실리콘 집과 인쇄회로기판의 인터커넥션의 고신뢰도가 요구되고 있다. 본 연구는 Sn-4.0wt%Ag-0.5wt%Cu (SAC405) 솔더와 다양한 무전해 Ni-P 도금 두께에서의 high speedshear 에너지 및 파괴 모드를 연구하였다. 파괴 모드 분석을 위하여 집속이온빔(FIB) 분석이 이용되었다. 질산 기상 처리하지 않은 1 μm Ni-P 시편에서 낮은 shear 에너지가 나왔으며, 이는 솔더레지스트 선단에서 파단의 원인을 제공하는 것이 확인되었다. 질산 기상 처리한 시편에서 무전해 Ni-P 도금 두께가 커질수록 취성 파괴 모드는 감소한다. 또 Ni-P 도금두께와 표면 거칠기(Ra)는 반비례 관계를 가진다. 이는 Ni-P 도금의 표면 거칠기를 낮추면 SAC405 솔더 조인트의 신뢰도를 향상시킨다는 사실을 나타낸다.
#Ni-P plating #Solder joint reliability #High speed shear #Ni-P thickness

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A. Kumar / 2005 / Effect of Ni-P thickness on the tensile strength of Cu/Electroless Ni-P/Sn-3.5Ag solder joint / 7th Electronics Packaging Technology Conference : 873 ~ google schola D. Cullen / 2000 / A study on interfacial fracture phenomenon of solder joints formed using the electroless nickel/immersion gold surfaces finish / Proc. IPC works 2000 : s03 ~ google schola D. G. Lee / 2007 / New surface finish of the substrate for the flip chip packaging / SEMICON Korea 2007 : 255 ~ google schola D. Goyal / 2002 / Failure mechanism of brittle solder joint fracture in the presence of electroless Ni immersion gold (ENIG) interface / Proc. 52nd Electronic Component and Technol google schola D. K. Lee / 2011 / Influence of Doping on Ni Electroless Deposition at Single Crystalline Si / JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 158 (8) : 490 ~ 494 google schola

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