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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 25 - 32 (8page)
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초고휘도 비극성 a-GaN LED를 위한 양질의 R-면 사파이어 기판을 제조하기 위해 절단, 연마공정에 대해서연구하였다. 사파이어는 이방성이 큰 물질로서 R-면과 c-면의 기계적인 특성의 차이에 의해 기판 제조공정 조건이 영향을 받으며, c-면에 비해서 R-면은 이방성 크며 각 결정학적인 면에서의 이방성은 연마공정에는 큰 영향을 미치지 않으나절단공정에 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. R-면 잉곳의 절단방향이 a-flat에 대해 45˚인 경우에 절단이 가장 효과적으로 이루어졌으며 양호한 절단품질을 얻을 수 있었다. 기계적인 연마가 이루어지는 래핑과 DMP(Diamond mechanical polishing) 공정에서는 c-면 기판과 연마율이 큰 차이가 나타나지 않았으나, 화학반응이 수반되는 CMP(Chemical mechanical polishing) 공정에서는 c-면 기판의 연마율이 R-면 기판의 약 2배 이상 큰 값을 가졌으며, 이는 c-면의 수화반응층 형성에 의한 영향으로 보여진다.
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참고문헌 (15)
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B. A. Haskell / 2003 / Structural and morphological characteristics of planar (11-20) a-plane gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy / Appl. Phys. Lett 83 (8) :
C. A. Brookes / 1971 / Anisotropy in the Hardness of Single Crystals / Proc. Soc. A (322) : 73 ~
D. Miller / 1985 / Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures / Phys. Rev. Lett 32 (2) : 1043 ~
E.R. Dobrovinskaya / 2009 / Sapphire-Material, Manufacturing, Applications / Sprinnger Science+ Business Media (381)
E.R. Dobrovinskaya / 2009 / Sapphire-Material, Manufacturing, Applications / Sprinnger Science+ Business Media (386)
C. A. Brookes / 1971 / Anisotropy in the Hardness of Single Crystals / Proc. Soc. A (322) : 73 ~
D. Miller / 1985 / Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures / Phys. Rev. Lett 32 (2) : 1043 ~
E.R. Dobrovinskaya / 2009 / Sapphire-Material, Manufacturing, Applications / Sprinnger Science+ Business Media (381)
E.R. Dobrovinskaya / 2009 / Sapphire-Material, Manufacturing, Applications / Sprinnger Science+ Business Media (386)
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