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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제20권 제4호
발행연도
2013.1
수록면
25 - 30 (6page)

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Pb-free ferroelectric (Na0.5Bi0.5)TiO3 (NBT) thin films were prepared by a modified sol-gel process. Theirstructural, dielectric and pyroelectric properties were investigated as a function of the excess Na/Bi ratio and the annealingtemperature. In the case of thin films containing no excess Na and Bi, only partial amounts of the perovskite NBT werecrystallized, where the films consisted mainly of the pyrochlore phase of Bi2Ti2O7 for annealing conditions of 600~800oC. With increasing excess Na/Bi ratio, the proportion of the perovskite phase effectively increased due to the compensationof the volatile Na and Bi components. For a Na/Bi ratio of 2.0, the thin film with single NBT perovskite phase wasobtained within XRD detection limit after annealing at 700oC for 10 min and it showed the excellent dielectric properties,εr of ~550 and tan δ of 0.03. While these properties were degraded for Na/Bi ratio of 2.5 despite the existence of pureperovskite phase. The NBT thin film with Na/Bi ratio of 2.0 are also promising candidates for applications requiringpyroelectric devices because it was found to have pyroelectric coefficients of 1.3~7 nC/cm2K in the temperature rangeof 30~100oC.
#Lead-Free Thin Films #Na0.5Bi0.5)TiO3 #Sol-Gel Process #Dielectric and Pyroelectric Properties

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