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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 91 - 95 (5page)
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GaN 기반의 LED에서 광 추출 효율을 정량적으로 분석하였다. Ray-Tracing기반의 시뮬레이션을 이용하여 사파이어 기판에 형성된 패턴의 형태, 크기, 깊이, 간격들을 분석하여 최적의 패턴 요소들을 도출하였다. 시뮬레이션의 결과로 최적의 패턴 형태는 반구 형태에서 높은 광 추출 효율을 보였다. 일반적인 패턴이 없는 사파이어 기판을 사용한 LED 의 광 추출 효율보다 반구 형태의 패턴을 가진 사파이어 기판에서 약 40% 향상된 광 추출 효율을 보였다.
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참고문헌 (8)
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/ 2008 / Growth and Characterization of InGaNbased Light-Emitting Diodes on Patterned Sapphire Substrates / J. Phys. Chem. Solids 69 (2-3) : 714 ~
C. H Chan / 2009 / Improved Output Power of GaN-based Light-Emitting Diodes Grown on a Nanopatterned Sapphire Substrate / Appl. Phys. Lett (95) : 011110 ~
J. B. Kim / 2010 / Light Extraction Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Volcano-Shaped Patterned Sapphire Substrates / JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49
S. M. Kim / 2008 / Optical and Structural Properties of InGaN-AlGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes / IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 20 (23) : 1911 ~ 1913
T. Fujii / 2004 / Increase in the Extraction Efficiency of GaNbased Light-emitting Diodes via Surface Roughening / Appl. Phys. Lett 84 (6) : 855 ~
C. H Chan / 2009 / Improved Output Power of GaN-based Light-Emitting Diodes Grown on a Nanopatterned Sapphire Substrate / Appl. Phys. Lett (95) : 011110 ~
J. B. Kim / 2010 / Light Extraction Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Volcano-Shaped Patterned Sapphire Substrates / JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49
S. M. Kim / 2008 / Optical and Structural Properties of InGaN-AlGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes / IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 20 (23) : 1911 ~ 1913
T. Fujii / 2004 / Increase in the Extraction Efficiency of GaNbased Light-emitting Diodes via Surface Roughening / Appl. Phys. Lett 84 (6) : 855 ~
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