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한국복합재료학회 Composites Research Composites Research 제30권 제2호
발행연도
2017.1
수록면
108 - 115 (8page)

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SiCf/SiC 복합체를 제조하는 공정들 중에서 화학기상 침착(Chemical Vapor Infiltration) 공정은 저온에서 실형상이나 복잡한 형상을 제조할 수 있고, 기지상의 미세구조를 제어할 수 있으며, 고순도를 지닌 SiCf/SiC 복합체를 제조할 수 있는 효과적인 방법이다. 그러나 잔유 기공을 가지며 공정시간이 긴 단점이 있다. 기공률을 줄이고효과적인 기지상 채움을 위하여 휘스커(whisker) 성장과 기지상 채움공정을 연속하여 수행하는 whisker growing assisted 화학기상침착공정이 개발되었다. 기지상 채움 전에 프리폼에 SiC 휘스커를 미리 성장시키면 섬유간이나 번들간에 존재하는 큰 기공을 작게 분할하여 기지상 채움 효율을 증진할 수 있다. 본 논문에서는 SiCf/SiC 복합체 제조를위한 화학기상침착법공정의 기초와 일반적인 화학기상침착공정과 whisker growing assisted 화학기상침착공정으로제조한 SiCf/SiC 복합체의 실험결과들을 간략히 서술하였다.
#탄화규소섬유복합체 #화학기상침착 #탄화규소 휘스커 #기지상 채움 거동 #SiCf/SiC composite #Chemical vapor infiltration #SiC whisker #Matrix filling behavior

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