착체중합법을 이용한 Ga2O3 나노 분말의 합성

정종열; 김상훈; 강은태; 김진호; 한규성; 황광택; 조우석

추천

검색

자료유형: 학술저널

저자정보: 정종열 김상훈 강은태 김진호 한규성 황광택 조우석

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제23권 제6호

발행연도: 2013.1

수록면: 302 - 308 (7page)

이용수

📌

연구주제

📖

연구배경

🔬

연구방법

🏆

연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2014

침전법과 착체중합법을 이용한 Ga2O3 나노분말의 합성과 특성의 연구

정종열 재료공학과(학연) 2014.01 학위논문

침전법을 이용한 Ga2O3 분말의 합성

정종열 , 김상훈 , 강은태 외 4명 한국결정성장학회지 2014.01 학술저널

2013

착체중합법을 이용한 Ga2O3 나노 분말의 합성

정종열 , 김상훈 , 강은태 외 4명 한국결정성장학회지 2013.01 학술저널

이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
이 논문의 연구 히스토리 확인하기

초록· 키워드

오류제보하기

본 연구에서는 InGaZnO 산화물 반도체를 제조하기 위한 출발물질 중 하나인 Ga2O3 분말을 착체중합법을 이용하여 합성하였다. 함께 사용되는 다른 출발 물질인 In2O3와 ZnO 분말 입자가 수십 nm 크기로 제조되는 반면 Ga2O3 분말입자는 아직까지 수 μm 크기의 입자가 사용되기 때문에 입도의 균일성을 확보하기 위해 착체중합법의 공정을 최적화하여Ga2O3 나노 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. Ga2O3나노 분말 합성의 출발물질로 ethylene glycol, citric acid,Ga(NO3)3를 사용하였으며 500~800oC에서 Ga2O3 나노 입자을 합성하였다. TG-DTA 분석을 통해 전구체에서 유기물이 소실되는 온도를 확인하였고, XRD 분석을 통해 Ga(NO3)3 농도 및 열처리 온도에 따른 Ga2O3 나노 입자의 결정성을 확인하였다. SEM 분석을 이용하여 Ga2O3 나노 입자의 미세 구조 및 입도 분포를 확인하였다.

#Polymerized complex method #Gallium oxide #Nanopowder #InGaZnO

참고문헌 (17)

참고문헌 신청

H.J. Kim / 2008 / LCD TFT technology and recent trend / Phys. High Technol 17 : 10 ~

H.J. Ryu / 1998 / Synthesis of Y2O3 : Eu3+ phosphor for low-voltage by polymerized complex method / J. Korean Ceram. Soc 35 : 801 ~

J.I. Jeong / 2008 / Optimization of coating conditions and room temperature deposition of ITO film using magnetron sputtering / RIST 22 : 222 ~

JeongHoRyu / 2002 / Low temperature synthesis of ZnWO4 nanopowders using polymeric complex precursor / 한국결정성장학회지 12 (3) : 133 ~ 137

K. Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432 : 488 ~