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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제21권 제5호
발행연도
2011.1
수록면
187 - 192 (6page)

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비극성 a-GaN의 성장 시 기판의 경사각은 GaN epi의 품질을 결정하는 중요한 변수로서 양질의 a-GaN 성장을위해서는 R-면 기판의 경사각이 정밀하게 제어된 기판이 요구된다. 본 연구에서는 R-면 기판의 경사각 α와 β의 목표값이각각 0, −0.1, −0.15, −0.2, −0.4, −0.6o와 −0.1, 0, 0.1o인 절단기판을 제조하였다. 절단기판의 경사각을 x-ray를 이용하여 측정하고 통계적인 분석을 통해 기판의 경사각 제어공정에 대한 신뢰성을 평가하였으며, R-면 기판의 경사각의 공차는 ± 0.03o 의 값을 가졌다. R-면 기판은 상대적으로 큰 이방성에 의해 c-면 기판에 비해 휨(BOW)과 두께편차(TTV)가 상대적으로 큰분포를 갖는 것으로 나타났다. AFM을 이용하여 기판 표면을 관찰한 결과, 측정된 R-면기판의 step 높이는 0.2~0.4 nm로 거의 일정한 값을 가졌으며 step 너비는 경사각 α가 증가함에 따라 156 nm에서 26 nm로 감소하였으며 이와같은 R-면 기판의step 구조의 변화는 epi 성장에 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다.
#Sapphire wafer #Nonpolar GaN #Tilled angle #Slicing #DMP #CMP

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B.A. Haskell / 2003 / Structural and morphological characteristics of planar (11-20) a-plane gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy / Appl. Phys. Lett 83 (8) : google schola B.A. Haskell / 2007 / Progress in the growth of nonpolar gallium nitride / Phys. Stat. Sol.(b) 244 (8) : 2847 ~ google schola D. Miller / 1985 / Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures / Phys. Rev. Lett 32 (2) : 1043 ~ google schola Honglin Zhu / 2004 / Chemical mechanical polishing(CMP) anisotropy in sapphire / Applied Surface Science 236 : 120 ~ google schola M.D. Craven / 2002 / Structural characterization of nonpolar (11-20) a-plane GaN thin films grown on (1-102) r-plane sapphire / Appl. Phys. Lett 81 (3) : 469 ~ google schola

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