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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 237 - 241 (5page)
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본 연구에서는 상용화되는 AlN 웨이퍼(wafer)를 이용하여 molten KOH/NaOH 화학적 습식 에칭(Wet ChemicalEtching)에 따른 표면변화 특성 및 최적의 에칭 조건을 조사하였다. AlN 웨이퍼를 350oC에서 5분간 에칭 시 Al-face, N-face는 서로 다른 관찰되었다. 특히, Al-face는 에치핏의 형상을 파악하여 결함특성을 관찰하였고, 이로부터 결함 밀도를 계산하여 2 × 106/cm2~1010/cm2의 결과를 얻었다. N-face의 경우 육각 뿔(hexagonal pyramids) 형태의 격자결함이 형성되었다. 또한AlN 웨이퍼의 성장 시 배향을 관찰하기 위해 XRD(X-Ray Diffraction, Rigaku, JAPAN)를 이용하여 분석한 결과 육방정AlN의 C축 방향에 해당되는 (0002) 및 (0004) 면으로 배향된 상태임을 알 수 있었고, DC-XRD(Double Crystal X-rayDiffraction, bruker, Germany)를 이용하여 rocking curve의 위치에 따라 곡률 반경을 측정했을 때 1.6~17 m의 곡률을 가지고있는 것으로 나타났다.
†Corresponding
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참고문헌 (10)
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A.K. Georgieva / 2004 / Sublimation epitaxy of AlN onSiC: growth morphology and structural features / J. Crystal Growth 273 : 161 ~
D. Peng / 2009 / Effect of surface treatmentfor sapphire substrate on gallium nitride films / J. Alloys Compd 476 : 629 ~
D. Zhuang / 2004 / Defect-selective etching of bulk AlN single crystalsin molten KOH/NaOH eutectic alloy / J. CrystalGrowth 262 : 89 ~
I. Nagai / 2010 / AlN bulk single crystalgrowth on 6H-SiC substrates by sublimation method / J. Crystal Growth 312 : 2699 ~
M. Bickermann / 2007 / Wet KOH etchingof freestanding AlN single crystals / J. Crystal Growth 300 : 299 ~
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