지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 161 - 166 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
실리콘 기판 위에 GaN를 성장하기 위해서 AlN 완충층을 사용해 왔다. 그러나 AlN은 아직까지 high doping이쉽지 않기 때문에, 이로 인해 AlN를 전자소자나 광소자 제작을 위한 완충층으로 이용하는 경우 직렬 저항의 증가라는 문제가 발생할 수 있다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 개선하기 위해 AlN 완충층 대신에 금속 완충층을 사용하여 실리콘기판 위에 GaN 박막 성장실험을 수행하였다. Al, Ti, Cr 그리고 Au 등을 금속 완충층으로 사용하여 실리콘 기판 위에 GaN 층을 성장하였다. 성장된 GaN 박막의 표면 특성을 분석하기 위해 광학현미경과 SEM을 사용하였고, 결정성과 광학적 특성을 평가하기 위하여 PL과 XRD 분석을 실시하였으며 AlN 완충층을 사용한 경우와 금속 완충층을 사용한 경우의 저항 차이를 확인하기 위하여 전류-전압 특성을 측정하였다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
A. Dadgar / 2007 / MOVPE growth of GaN on Si - substrates and strain / Thin Solid Films 515 : 4356 ~
A. Watanabe / 1993 / The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AIN as an intermediate layer / J. Crystal Growth 128 : 391 ~
C.K. Shu / 1998 / Isoelectronic In-doping effect in GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition / Appl. Phys. Lett 73 : 641 ~
Doek Kyu Kim / 2006 / Growth of Crack-Free GaN Films on Si(111) Substrates with AlN Buffer Layers / Journal of the Korean Physical Society 49 (4) : 1497 ~ 1500
H. Xu / 2012 / Gallium vacancies related yellow luminescence in N-face GaN epitaxial film / Applied Surface Science 258 : 6451 ~
A. Watanabe / 1993 / The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AIN as an intermediate layer / J. Crystal Growth 128 : 391 ~
C.K. Shu / 1998 / Isoelectronic In-doping effect in GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition / Appl. Phys. Lett 73 : 641 ~
Doek Kyu Kim / 2006 / Growth of Crack-Free GaN Films on Si(111) Substrates with AlN Buffer Layers / Journal of the Korean Physical Society 49 (4) : 1497 ~ 1500
H. Xu / 2012 / Gallium vacancies related yellow luminescence in N-face GaN epitaxial film / Applied Surface Science 258 : 6451 ~
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0