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일반적으로 mesa 구조의 발광다이오드 제작은 MOCVD법으로 수행되고 있다. 특히 개개의 발광다이오드 칩을식각하고 분리하기 위해서 발광다이오드는 반응성이온식각(RIE)공정과 절단(scribing) 공정을 거치게 된다. 플라즈마를 이용한 건식식각공정인 RIE 공정은 결함, 전위, 표면의 댕글링 본드 형성과 같은 몇 가지 문제점을 유발하고, 이러한 이유로 인해 소자 특성을 저하시킨다. 선택영역성장법은 사파이어 기판 위에 고품질의 GaN 에피층을 성장시키는 방법으로써 주목받고 있다. 본 논문에서는 고품질의 막을 제작하고 공정을 간소화하기 위해서 선택영역성장법을 도입하였고, 기존의 발광다이오드 특성에 영향을 주지 않는 선택영역의 크기를 규정하고자 한다. 실험에 사용된 원형의 선택성장영역의 직경크기는 2500, 1000, 350, 200 μm이고, 선택성장 된 발광다이오드의 소자 특성을 얻고자 SEM, EL, I-V 측정을 시행하였다. 주된 발광파장의 위치는 직경크기 2500, 1000, 350, 200 μm에서 각각 485, 480, 450, 445 nm로 측정되었다. 직경 350, 200 μm에서는 불규칙한 표면과 기존 발광다이오드보다 높은 저항 값을 얻을 수 있었지만, 직경 2500, 1000 μm에서는 평탄한 표면과앞서 말한 350, 200 μm의 특성보다 우수한 전류-전압 특성을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로 기존 발광다이오드의 특성에 영향을 주지 않는 적당한 선택성장 직경크기는 1000 μm 이상임을 확인하였다.
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참고문헌 (16)
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B. Beaumont / 1997 / Violet GaN based light emitting diodes fabricated by metal organics vapour phase epitaxy / Materials Science and Engineering: B 50 : 296 ~
C. Wetzel / 2008 / Lightemitting diode development on polar and non-polar GaN substrates / Journal of Crystal Growth 310 : 3987 ~
C.H. Qiu / 1995 / Study of defect state in GaN films by photoconductivity measurement / Applied Physics Letter 66 : 2712 ~
H.C. Lee / 2008 / Effect of the surface texturing shapes fabricated using dry etching on the extraction efficiency of vertical light-emitting diodes / Solid-State Electronics
H.Y. Shin / 2009 / Reducing dislocation density in GaN films using a cone-shaped patterned sapphire substrate / Journal of Crystal Growth 311 : 4167 ~
C. Wetzel / 2008 / Lightemitting diode development on polar and non-polar GaN substrates / Journal of Crystal Growth 310 : 3987 ~
C.H. Qiu / 1995 / Study of defect state in GaN films by photoconductivity measurement / Applied Physics Letter 66 : 2712 ~
H.C. Lee / 2008 / Effect of the surface texturing shapes fabricated using dry etching on the extraction efficiency of vertical light-emitting diodes / Solid-State Electronics
H.Y. Shin / 2009 / Reducing dislocation density in GaN films using a cone-shaped patterned sapphire substrate / Journal of Crystal Growth 311 : 4167 ~
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