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PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법을 적용하여 질화알루미늄(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였으며, 성장된 결정의 결정성과 성장 온도에 따른 상에 대하여 고찰하였다. 성장된 단결정은 광학현미경을 이용하여 결정의 상을 관찰하였고, 관찰된 결과를 비교 분석하여 본 실험에 적용된 성장 장치에서의 최적의 성장 온도 조건을설정할 수 있었다. 본 연구에서는 AlN 단결정 성장 결과를 비교 고찰하여 보고하고자 한다.
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참고문헌 (9)
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E.N. Mokhov / 2005 / Sublimationgrowth of AlN bulk crystals in Ta crucibles / J. Cryst. Growth 281 : 93 ~
R. Dalmau / 2011 / Challenges in AlN crystal growth and prospects of theAlN-based technology / Proc. CS MANTECH Conf.,CA
S.M. Kang / 1999 / Step growth and defects formation ingrowth interface for SiC sublimation growth / J. KoreanCryst. Growth Cryst. Technol 9 : 558 ~
S.M. Kang / 2001 / The study on the formation of growth steps in the sublimation growth of SiC single crystals / J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol 11 : 1 ~
V. Noveski / 2004 / Mass transfer in AlN crystal growth at hightemperatures / J. Cryst. Growth 264 : 369 ~
R. Dalmau / 2011 / Challenges in AlN crystal growth and prospects of theAlN-based technology / Proc. CS MANTECH Conf.,CA
S.M. Kang / 1999 / Step growth and defects formation ingrowth interface for SiC sublimation growth / J. KoreanCryst. Growth Cryst. Technol 9 : 558 ~
S.M. Kang / 2001 / The study on the formation of growth steps in the sublimation growth of SiC single crystals / J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol 11 : 1 ~
V. Noveski / 2004 / Mass transfer in AlN crystal growth at hightemperatures / J. Cryst. Growth 264 : 369 ~
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