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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.5
- 수록면
- 31 - 44 (14page)
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Wide Band Gap Power Devices, especially SiC MOSFET is very appropriate device for High Voltage Bi-Directional Applications such as SSCB (Solid State Circuit Breaker) due to low conduction loss and 3rd quadrant characteristic.
The internal topology (diagram) of SiC MOSFET Module for Bi-Directional Application such as Relay and SSCB (Solid State Circuit Breaker) must be common-source for bi-directional operation.
This paper will discuss the short circuit characteristic of common-source based 1700V SiC MOSFET Module, and the short circuit was tested on the basis of 2 types of short circuit mode : 1) SC mode 1 -> DUT is ON under load short, 2) SC mode 2 -> load short under DUT is ON.
The internal topology (diagram) of SiC MOSFET Module for Bi-Directional Application such as Relay and SSCB (Solid State Circuit Breaker) must be common-source for bi-directional operation.
This paper will discuss the short circuit characteristic of common-source based 1700V SiC MOSFET Module, and the short circuit was tested on the basis of 2 types of short circuit mode : 1) SC mode 1 -> DUT is ON under load short, 2) SC mode 2 -> load short under DUT is ON.
목차
Abstract
DUT Information (Discrete & Module)
Electrical Characteristics of SiC MOSFET Module
Short Circuit Test Mode
SCSOA of 1700V SiC MOSFET Discrete
SCSOA of 1700V SiC MOSFET Module
Conclusion
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