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H. Yoda (Toshiba) Y. Ohsawa (Toshiba) Y. Kato (Toshiba) N. Shimomura (Toshiba) M. Shimizu (Toshiba) K. Koi (Toshiba) S. Shirotori (Toshiba) T. Inokuchi (Toshiba) H. Sugiyama (Toshiba) S. Oikawa (Toshiba) B. Altansargai (Toshiba) M. Ishikawa (Toshiba) A. Kurobe (Toshiba)
저널정보
한국자기학회 Journal of Magnetics Journal of Magnetics Vol.24 No.1
발행연도
2019.3
수록면
107 - 111 (5page)
DOI
10.4283/JMAG.2019.24.1.107

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We designed a voltage-control spintronics memory unit-cell, VoCSM, with high write-efficiency to prove a potential to reduce writing energy per bit. By optimizing a self-aligned structure, the cell has the critical switching current (I<SUB>csw</SUB>) smaller than 50 μA at 20 nsec. for designed MTJ size of about 50 × 150 ㎚². The value is much smaller than that for mature STT-MRAM with the similar dimension. VoCSM also was proved to have unlimited endurance. Finally, with an empirical equation of Icsw further reduction of I<SUB>csw</SUB> is estimated to clarify that VoCSM has a potential to reduce Icsw down to several μA.
#MRAM #spintronics #spin Hall #voltage-control spintronics memory #voltage-control magnetic anisotropy

목차

1. Introduction
2. Possibility of Small Critical Switching Energy Per Bit, eCSW, of VoCSM
3. Practically Unlimited Endurance of VoCSM
4. MTJ Structure, an Analysis of ICSW, and the Empirical Dependence of ICSW on ΔEsw
5. Reduction Trend of Writing Energys Per Bit, eCSWS, for STT-writing and VoCSM Writing
6. An Estimation of Further Reduction of ICSW and eCSW for VoCSM
References

참고문헌 (12)

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H. Yoda / 2015 / 2015 Symposium on VLSI Technology :T104~T105 google schola H. Yoda / 2016 / Digests of 62th IEDM 27(6):6 google schola H. Yoda / 2017 / 2017 IEEE 9th International Memory Workshop :165 google schola H. Yoda / Japanese Patent 6280195 google schola H. Yoda / US Patent US 9,881,660 google schola

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