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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.3
- 수록면
- 175 - 180 (6page)
- DOI
- 10.3795/KSME-B.2019.43.3.175
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초록· 키워드
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본 연구는 포논(phonon) 평균자유행로(mean free path, MFP) 스펙트럼(spectrum) 분포 별 열전도 기여도를 이용하여, 실리콘(Si) 기질로 지지된 그래핀 나노메쉬(Si-GNM) 내 포논 산란 특성을 살폈다. 그래핀 나노메쉬(GNM) 내 포논 MFP에 대한 현상학적 접근(phenomenological approach)을 이용하여, Si-GNM와 뜬(suspended) GNM(Sus-GNM) 내 복잡한 포논 산란(scattering) 정도(n)를 표현할 수 있는 간단한 함수를 도입하고, 기존 연구에서 제시하지 못한 다공도(porosity, Ø) 증가에 따라 Si-GNM이 Sus-GNM 경우 보다 열전도율 억제 효과가 작아짐을 정량적으로 설명했다. 즉, 1.52%≤ Ø ≤ 9% 범위에서 Ø 가 커지면서 n<SUB>sup</SUB>/n<SUB>sus</SUB>=2.81에서 2.37로 감소함을 보였다. 본 연구 방법은 향후 GNM 기반 시스템에 대한 열 관리 및 열 제어 연구에 활용될 수 있다.
목차
초록
Abstract
1. 서론
2. GNM 포논 산란 해석 방법
3. GNM 내 포논 산란 정도 비교 결과
4. 결론
참고문헌(References)
참고문헌 (26)
참고문헌 신청
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