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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최소연 (Chungnam National University) 유호영 (Chungnam National University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제22권 제4호
발행연도
2018.12
수록면
1,168 - 1,174 (7page)

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NAND 플래시 메모리를 포함하는 저장 매체의 경우 초기 상태에서 메모리 셀의 상태가 매우 우수하기 때문에, 오류가 없거나 단일 오류가 발생하는 경우가 지배적이다. 무-오류와 단일-오류에 대한 처리는 저장 매체의 시스템에 있어서 전체 시스템 성능에 영향을 미치는 중요한 요소가 된다. 전통적인 polar code 복호기법은 무-오류 또는 단일-오류에 대한 독립적인 검출이 불가능하기 때문에 일반적인 복호화 기법을 따르며 다른 오류 발생 경우와 동일한 수준의 지연 시간을 가진다. 본 논문에서는 저장 매체에서 빈번하게 발생하는 무-오류 또는 단일-오류에 대한 검출 및 정정을 일반적인 복호화 과정에 앞서 처리해줌으로써, 전체 복호화 과정에 필요한 평균적인 지연시간을 감소시키는 기법을 제안한다. 실험 결과에 따르면 무-오류 또는 단일-오류에 대한 제안하는 선 처리 (pre-processing) 기법을 적용할 경우 (1024, 512) 극 부호에 대하여 일반적인 복호화기법 대비 평균 지연시간을 약 64% 줄일 수 있다.
#Polar codes #pre-processing #bit-flipping #single-error correction #low-latency decoding

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 비트 반전 복호 기법
Ⅳ. 분석 및 실험결과
Ⅴ. 결론
References

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