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오창균 (인천대학교) 차윤미 (인천대학교) 이경남 (인천대학교) 정복만 (인천대학교) 김준동 (인천대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제67권 제10호
발행연도
2018.10
수록면
1,370 - 1,374 (5page)

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A heterojunction SnS₂/p-Si photodetector was fabricated by RF magnetron sputtering system. SnS₂ was formed with 2-inch SnS₂ target. Al was applied as the front and the back metal contacts. Rapid thermal process was conducted at 500℃ to enhance the contact quality. 2D material such as SnS₂, MoS₂ is very attractive in various fields such as field effect transistors (FET), photovoltaic fields such as photovoltaic devices, optical sensors and gas sensors. 2D material can play a significant role in the development of high performance sensors, especially due to the advantages of large surface area, nanoscale thickness and easy surface treatment. Especially, SnS₂ has a indirect bandgap in the single and bulk states and its value is 2 eV-2.6 eV which is considerably larger than that of the other 2D material. The large bandgap of SnS₂ offers the advantage for the large on-off current ratio and low leakage current. The SnS₂/p-Si photodetector clearly shows the current rectification when the thickness of SnS₂ is 80 nm compared to when it is 135 nm. The highest photocurrent is 19.73 μA at the wavelength of 740 nm with SnS₂ thickness of 80 nm. The combination of 2D materials with Si may enhance the Si photoelectric device performance with controlling the thickness of 2D layer.
#SnS₂ #Photodetector #Photoresponse #p-Si #2D material

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험과정
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
Chen, H. et al. “Suspended SnS2 Layers by Light Assistance for Ultrasensitive Ammonia Detection at Room Temperature”, Adv. Funct. Mater. Vol. 28, pp. 1-8, 2018. Geim, A. K. and Grigorieva, I. V. Van der Waals heterostructures. Nature, Vol. 499, pp. 419-425, 2013. Fiori, G. et al. “Electronics based on two-dimensional materials,” Nat. Nanotechnol, Vol. 9, pp. 768-779, 2014. Yang, W., Gan, L., Li, H. and Zhai, T., “Two-dimensional layered nanomaterials for gas-sensing applications,” Inorg. Chem. Front., Vol. 3, pp. 433-451, 2016. Zhou, X. et al. “Tunneling Diode Based on WSe2/SnS2 Hetero structure In corporating High Detectivity and Responsivity,” Adv. Mater., Vol. 30, pp. 1703286-1703294, 2018.

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