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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Yankun Tang (Xi’an Jiaotong University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.3
발행연도
2018.6
수록면
383 - 391 (9page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.3.383

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Transient thermal impedance plays a critical role in thermal design of power device. Welldesigned packaging and circuit board insure the continuous cooling performance although the temperature raise in junction under pulse with high power in short time scale relates to the structure of chips. A modified TTI(Transient Thermal Impedance) measurement method has been proposed which simulates the pulse applying in channel of trench-gate MOSFET and the calculated TTI value has 30% difference between the single pulse method and the cooling curve method. The discrepancy of results can be attributed to the influences brought by microstructure inside cells. Experiments prove that the gate bias is related to the tested TTI value. Analysis has indicated that the mechanism is due to the electrical resistance distribution in cells which is dominated by gate bias, electrical character of channel, accumulation layer, drift region, substrate and structure of cell.
#Thermal character #MOSFET #transient thermal impedance #pulse #gate bias

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. METHODOLOGY
III. EXPERIMENTAL DATA & ANALYSIS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (27)

참고문헌 신청
B. J. Baliga, Fundamenatals of Power Semiconductor Devices, Publishing House of Springer, 2008. B. S. Siegal, “Measuring thermal resistance is the key to a cool semiconductor,” Electronics, vol. 51, pp. 121-126, Jul. 1978. Y. Shabany, Heat Transfer: Thermal Management of Electronics, CRC Press Taylor & Francis Group, 2013. J. P. Holman, Heat Transfer, vol.1, McGraw-Hill Education, 2001. P. J. Schneider, Conduction Heat Transfer. Reading, Mass: Addison-Wesley Publishing Company, 1955.

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