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A plasma gas control apparatus for semiconductor plasma etching processes securely holds a cathode for forming a plasma, confines the plasma during the plasma etching process, and discharges gas after etching. It is a key part of the etching process. With the advancement of semiconductor technology, there is increasing interest in parts for semiconductor manufacturing that directly affect wafers. Accordingly, in order to replace the plasma gas control device with a CVD-SiC material superior in mechanical properties to existing SiCs (Sintered-SiC, RB-SiC), a study on the grinding characteristics of CVD-SiC was carried out. It is confirmed that the optimal grinding condition was obtained when the result table feed rate was 2 m/min and the infeed depth was 5 ㎛.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험장치 및 조건
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
Lee, S. M., “A Study on the Grinding Characteristics of Surgical Implant Zirconia,” Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers, Vol. 13, No. 1, PP. 72-77, 2004.
Lee, C. S., “A Study on the Grinding Characteristics of SiC,” Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers, Vol. 13, No. 1, pp. 245-250, 2006.
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Park, J. K., Kim, I. W. and Choi, M. P., Optimal Synthesis of Steering Mechanisms Considering Transmission Angles, Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers, Vol. 11, No. 1, pp. 68-75, 2012.
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