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학술저널
저자정보
Yaya Chen (Zhejiang University) Yan Han (Zhejiang University) Tianlin Cao (Zhejiang University) Xiaoxia Han (Zhejiang University) Ray C. C. Cheung (City U) Shifeng Zhang (Zhejiang University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.5
발행연도
2017.10
수록면
666 - 674 (9page)
DOI
10.5573/JSTS.2017.17.5.666

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This paper proposes a modulator that improves the signal-to-noise and distortion ratio (SNDR) by 6 dB compared with the conventional modulator. A high pass dither shaper added to the raised modulator eliminates harmonic spurs without increasing the in-band noise floor. Moreover, a behavior-level modeling method is proposed for a 200 KHz bandwidth switch-capacitor sigma-delta digital to analog converter (SC ΣΔDAC). Consequently, by considering the main non-idealities in the SC ΣΔDAC, in contrast with the conventional SC ΣΔDAC, MATLAB simulation results show that the SC ΣΔDAC with the proposed modulator boosts the SNDR by approximately 6 dB and the spurious free dynamic range (SFDR) by approximately 8 dB. Finally, with the circuit implemented in a 0.18 μm CMOS process, the measurement results are also used to further validate the proposed SC ΣΔDAC model.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DESIGN AND BEHAVIORAL MODELING
III. MAJOR NON-IDEALITIES IN THE SC ΣΔDAC
IV. VALIDATION OF THE PROPOSED MODEL
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (23)

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