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저자정보
Muminov R. A. (Academy of Sciences of Uzbekistan) Saymbetov A. K. (al-Farabi Kazakh National University) Japashov N. M (al- Farabi Kazakh National University) Mansurova A. A. (al- Farabi Kazakh National University) Radzhapov S. A. (Academy of Sciences of Uzbekistan) Toshmurodov Yo. K. (Academy of Science of Uzbekistan) Mukhametkali B. K. (al-Farabi Kazakh National University) Sissenov N. K. (al-Farabi Kazakh National University) Kuttybay N. B. (al-Farabi Kazakh National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.5
발행연도
2017.10
수록면
591 - 596 (6page)
DOI
10.5573/JSTS.2017.17.5.591

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This paper deals with development technology and fabrication of large sized silicon detector structures. New method of double sided diffusion and drift of lithium ions for formation big sized Si (Li) p-i-n structures is offered. It was shown that the compensation time in predetermined volume can be reduced by this method. Also, the basic results of I- V, C – V and Energy resolution characteristics of Si (Li) p-i-n structures, for various resistivity were illustrated.
#Diffusion of lithium #drift of lithium ions #p-i-n structure #silicon detector

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. MATERIAL AND METHODS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (15)

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A. C. Beer et al, “Semiconductors for room temperature nuclear detector applications,” Academic Press, Vol. 43, 1995. Yu. K. Akimov, Silicon radiation detectors (Review), Instruments and Experimental Techniques Vol 50, No.1 pp. 1-28, 2007 S. A. Azimovet, et al. Silicon-Lithium Nuclear Radiation Detectors. FAN, p. 256, 1981. Th. Stohlker, et al. Applications of position sensitive germanium detectors for X-ray spectroscopy of highly charged heavy ions. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol.205, pp.210-214, 2003. L. V. Katsoev, et al. Optimization of the structure of gallium-arsenide-based detectors with taking into account recombination losses. Semiconductors, Vol.43, No.13, pp.1667-1670, 2009.

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