LED 칩 제조용 사파이어 웨이퍼 절단을 위한 내부 레이저 스크라이빙 가공 특성 분석

송기혁; 조용규; 김병찬; 강동성; 조명우; 김종수; 유병소

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자료유형: 학술저널

저자정보: 송기혁 조용규 김병찬 강동성 조명우 김종수 유병소

저널정보: 한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제16권 제9호

발행연도: 2015.9

수록면: 5,748 - 5,755 (8page)

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스크라이빙 공정은 LED 칩 생성을 위한 절단 공정으로 칩의 특성 및 생산량을 결정하는 중요한 공정이다. 기존의 기계적 방식 및 레이저 방식의 스크라이빙 공정은 칩의 열 변형 및 강도 저하, 절단 영역의 제한 등의 문제점이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 웨이퍼 내부에 공극을 생성하여 자가 균열을 유도하는 내부 레이저 스크라이빙 공정이 연구되고 있으 나 LED 칩 제작을 위한 사파이어 웨이퍼의 절단에 대한 연구는 미비한 실정이다. 본 논문은 LED 칩 제작에 사용되는 사파이 어 웨이퍼의 내부 레이저 스크라이빙 공정을 적용하기 위해 주요 가공 변수를 정립하고 가공 실험을 통하여 절단 특성을 분석함으로써 내부 레이저 스크라이빙 시스템 구축을 위한 기초 가공 조건을 확립하였다.

#Pulse laser #Internal laser scribing #LED chip #Sapphire wafer #Laser ablation

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[학술대회논문] - F. Fukuyo / 2005 / Stealth Dicing Technology and Applications / Proceedings of 6th International Symposium on Laser Precision Microfabrication : 1 ~ 7

[학위논문] - S. Rezaei / 2011 / Burst-Train Generation for Femtosecond Laser Filamentation-driven micromachining / University of Toronto

[학술지(정기간행물)] - E. Ohmura / 2008 / Analysis of Processing Mechanism in Stealth Dicing of Ultra Thin Silicon Wafer / Journal if Advaned Mechanical Design, systems, and Manufacturing 2 (4) : 540 ~ 549

[학술지(정기간행물)] - T. Monodane / 2006 / Thermo-Elastic-Plastic Analysis on Internal Processing Phenomena of Single-Crystal Silicon by Nanosecond Laser / JLMN-Journal of Laser Micro/Nanoengineering 1 (3) : 231 ~ 235

[학술지(정기간행물)] - E. Ohmura / 2006 / Analysis of Internal Crack Propagatio in Silicon Due to Permeable Pulse Laser Irradiation: Study on Processing Mechanism of Stealth Dicing / Journal of Materials Science and Engineering A1 : 46 ~ 52

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