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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.6
- 수록면
- 2,697 - 2,701 (5page)
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안티퓨즈 MOS 커패시터를 기반으로 제작된 OTP 소자의 수율은 프로그램 과정에서 입력 저항(Rin)값과 통 과 트랜지스터(Pass Tr)의 크기, 데이터 읽기 과정에서 읽기 트랜지스터(Read Tr)와 읽기 전압에 영향을 받는다. 따라 서 수율에 영향을 주는 요소를 분석하기 위해 여러 가지 실험 조건을 달리하여 각각의 조건에 대해 블로잉 후 실효 소자의 저항 특성에 대한 풀 맵(full map) 데이터를 얻어 OTP 소자가 어떻게 동작하는지를 분석하여 수율 개선에 필 요한 최적 조건을 연구하였다. 최적 조건은 입력저항이 50Ω, 통과 트랜지스터의 W값이 10㎛, 읽기 전압이 2.8 V 일 때이다.
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참고문헌 (6)
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1. [학술지(정기간행물)] - L. J. Tang / 2004 / Gate Dielectric-Breakdown-Induced Microstructural Damage in MOSFETs / IEEE Trans. on device and materials Rel 4 (1) : 38 ~
2. [학술대회논문] - N. Mathur / 2005 / One Time programming Device Yield Study Based On Anti-Fuse Gate Oxide breakdown on P-type and N-type Substrates / IEEE IIRW : 111 ~
3. [학술대회논문] - R. Degraeve / 2001 / Relationship between Breakdown Mode And Breakdown Location in Short Channel NMOSFETs and its impact on reliability specifications / IEEE 39th Annual International Reliability Physics Symposium : 360 ~
4. [학술대회논문] - Hee Eng Gek / 2008 / Influence of Conformal Nitride Material Impacting the OTP & MTP Data Retention Performance / IEEE ICSE Proc : 383 ~
5. [학술대회논문] - J.Peng / 2006 / A Novel Embedded OTP NVM Using Standard Foundry CMOS Logic Technology / IEEE NVSMW : 24 ~
2. [학술대회논문] - N. Mathur / 2005 / One Time programming Device Yield Study Based On Anti-Fuse Gate Oxide breakdown on P-type and N-type Substrates / IEEE IIRW : 111 ~
3. [학술대회논문] - R. Degraeve / 2001 / Relationship between Breakdown Mode And Breakdown Location in Short Channel NMOSFETs and its impact on reliability specifications / IEEE 39th Annual International Reliability Physics Symposium : 360 ~
4. [학술대회논문] - Hee Eng Gek / 2008 / Influence of Conformal Nitride Material Impacting the OTP & MTP Data Retention Performance / IEEE ICSE Proc : 383 ~
5. [학술대회논문] - J.Peng / 2006 / A Novel Embedded OTP NVM Using Standard Foundry CMOS Logic Technology / IEEE NVSMW : 24 ~
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