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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제12권 제12호
발행연도
2011.12
수록면
5,832 - 5,837 (6page)

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본 논문에서는 1 μm CMOS 공정을 사용하여 LED 구동회로용 과열방지회로를 제안하였다. 제안하는 과열 방지회로는 120 °C에서 동작하며 90 °C에서 차단되도록 설계하였으며, 공정 오차에 따른 과열방지회로의 특성 변화 가 많이 감소되었다. 세 가지 공정변화에 따른 특성 변화를 본 결과 제안하는 과열방지회로의 시뮬레이션 결과는 기 존의 BJT 전류미러 방식의 과열방지회로보다 공정에 따른 온도변화가 약 7 % 줄어드는 것을 확인하였다. 또한 가상 의 LED 구동회로에 연결하였을 때 과열로부터 LED 구동회로를 보호하는 것을 확인하였다.

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