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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제5권 제4호
발행연도
2004.8
수록면
336 - 339 (4page)

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본 논문은 Al<sub>x</sub>Gal<sub>1-x</sub>As/Ga<sub>y</sub>In<sub>1-y</sub>As/GaAs 이종접합 소자의 2차원적 산란율을 해석하였다. 사각 양자 우물의 전자 준위는 슈뢰딩거와 포아송 방정식의 연계풀이에 의해 수치해석적으로 해석하였다. 수치해석으로 얻어진 파동함수와 에너지 준위를 이용하여 이 구조에서 주요한 2차원 산란율들을 구하였다. 극성광학 포논, 음향 포논, 압전 산란, 이온화된 불순물 산란, 그리고 합금 산란이 첫 번째 두개의 하부 밴드에 대해 고려되었다. 또한 2차원에 대해 구하여진 이 결과는 같은 영역에서의 3차원 산란을과 비교하였다.
#HEMT device #Two-dimensional simulation #Intervally scattering

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