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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
허준 (예테크놀리지) 전성즙 (부경대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제66권 제4호
발행연도
2017.4
수록면
636 - 642 (7page)

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Recently, new power devices, SiC and GaN FETs, are commercialized. They are expected to change power electronics environments. They will raise operating frequencies of power electronic equipments. Accordingly, design method will be changed greatly. In this paper, an 1 MHz resonant converter with fully compensated coreless isolation transformer is proposed, where the primary voltage is proportional to the secondary current and the primary current to the secondary voltage. 30 W prototype is constructed and tested, and its usefulness is verified.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 컴퓨터 모의 실험
4. 실험 및 고찰
5. 결론
References

참고문헌 (11)

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